Для магниторезистивной памяти разработана энергосберегающая технология

Исследователи из Калифорнийского университета и Школы инженерных и прикладных наук внесли значительные улучшения в процесс действия памяти компьютера, известной как магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM).

Упрощённая структура ячейки MRAM-памяти

Упрощённая структура ячейки MRAM-памяти


MRAM - магниторезистивная память, основанная на спин-передаче крутящего момента электрона (STT) в дополнение к его заряду. Для записи данных в память по технологии STT используется электрический ток для перемещения электронов. STT превосходят во многих отношениях конкурирующие технологии памяти, но у нее имеется весомый недостаток: такой механизм записи информации требует относительно большого количества энергии, а это значит, что при процессе вырабатывается много тепла. Кроме того, низкая разрядность приводит к относительно большой стоимости передачи одного бита.

Калифорнийская команда использовала принцип STT, но для переключения магнитных битов вместо тока применила напряжение — разность электрических потенциалов. При этом были использованы наноразмерные структуры, управляемые напряжением магнита-диэлектрика. Между магнитными слоями и возникает необходимая разность потенциалов. Это позволило сделать магниторезистивную память более эффективной и сократить расход энергии в 10 — 1000 раз. Кроме того, увеличилась плотность расположения битов более чем в пять раз, что сокращает удельную стоимость бита.

Ученые называли свою технологию MeRAM и уже заявляют, что их разработка имеет большой потенциал для использования в будущих чипах памяти для почти всех электронных устройств, включая смартфоны, планшеты, компьютеры, микропроцессоры и т.п.

MeRAM, по сравнению с существующими технологиями, сочетает в себе чрезвычайно низкое энергопотребление с очень высокой битовой плотностью, высокой скоростью чтения и записи информации, а также энергонезависимость, то есть способность сохранять данные, когда не подается питание. При этом MeRAM гораздо быстрее жестких дисков и флэш-карт.



0 оценок, среднее: 0,00 из 50 оценок, среднее: 0,00 из 50 оценок, среднее: 0,00 из 50 оценок, среднее: 0,00 из 50 оценок, среднее: 0,00 из 5 (голосов: 0; средний: 0,00 из 5)
Вы должны авторизоваться, чтобы голосовать за эту запись.
Загрузка...


Новостные метки: , , ,


Код для блога: Livejournal Livejournal Я.ру Я.ру Livinternet.ru Livinternet.ru

Загружается, подождите...

Для того, чтобы оставить комментарий, Вы должны войти в систему, либо зарегистрироваться. Вход